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[专家评审组成员]

  1. 颜重光高工
    上海市传感技术学会理事
  2. 路秋生教授
    中国电源学会常务理事
  3. 邢岩教授
    南京航空航天大学

TOP 10

  1. RF 无线充电发射端 IC DA4100

    DA4100 RF发射集成电路极大地简化了 WattUp 无线电源传输系统的应用,使其变得尺寸更小且更经济有效。WattUp 无线电源 RF 发射 IC 集成了ARM Cortex-M0+、RF 发射器和电源管理功能,尺寸为7mmx7mm。它还具有片上 DC/DC 转换功能和软件,可与 Dialog SmartBond 系列高度集成、低功耗的蓝牙低功耗(BLE)SoC 无缝集成。该新型IC将所需的占位空间降到最低,实现了超小充电发射器,并简化了 WattUp 的无线电源发射器系统的采用。
  2. 高性能八分之一砖 DC/DC PKB4313D

    PKB4313D 是爱立信新型大功率 PKB-D 1/8 砖平台推出的第一款产品,这款12V 输出数字 DC/DC 转换器模块,可提供高达 25A 的电流输出和 300W 功率。该产品兼容 DOSA 标准,1/8 砖尺寸,具有 36?75V 的输入范围,是 ICT(信息和通信技术)中间总线转换的理想应用选择。
    该高功率模块采用爱立信的 HRR 技术,在宽输入电压范围内提供高功率转换,同时保持低功耗。其可在高热环境中进行高效率的功率转换。通过 48V 输入和 12V 输出,在半负载下具有超过96%的典型效率。 Shanghai Ericsson Electronics Co., Ltd.
  3. 全新 1200V 碳化硅 MOSFET FF11MR12W1M1; FF23MR12W1M1;IMW120R045M1;IMZ120R045M1

    全新 1200V 碳化硅 MOSFET FF11MR12W1M1; FF23MR12W1M1;IMW120R045M1;IMZ120R045M1MOSFET 已经推出,同时具备高可靠性与性能优势。其动态功率损耗要比 1200V 硅(Si)IGBT 低一个数量级。首批产品将主推光伏逆变器、不间断电源(UPS)和充电/储电系统等应用市场。 1200V SiC MOSEFT 采用的沟槽栅技术的一大优势在于持久的坚固耐用性。这是由于其具备较低的失效率(FIT)和可承受短路的能力,可适应不同的应用和环境的挑战。得益于 4V 的阈值电压(Vth)和 +15V 的推荐栅极驱动电压(VGS),这些 SIC MOSFET 可以采用 IGBT 一样的驱动控制,在发生故障时得以安全关断。
  4. 数字多相控制器系列 ISL681xx 和 ISL691xx

    ISL681xx 和 ISL691xx 控制器集成的高性能数字引擎,采用具有专利的综合电流控制架构,能够实时(零延迟)跟踪每个相电流。这使器件能够以精确的电流、电压定位、更小电容来响应任何负载瞬变。 主要特性:符合 PMBus 1.3 和 AVSBus 规范;Vin、Vout、输入/输出电流及温度诊断故障报告的遥测功能,带有黑匣子功能;ISL68137 和 ISL68134 包含用于自适应电压调节的 AVSBus 接口;专有的数字控制方案,及拥有专利的综合电流控制;按相位进行全带宽、零延迟的电流波形数字化。
  5. 同步降压型 Silent Switcher® 2 LT8645S

    LT8645S 的 Silent Switcher® 2 架构采用两个内部输入电容器以及内部 BST 和 INTVCC 电容器以最大限度减小热环路面积。结合非常良好受控的开关边沿和一种具有整体接地平面的内部构造,并采用铜柱代替了接合线,LT8645S 的设计大幅度地降低了 EMI / EMC 辐射。
    LT8645S 的同步整流在 2MHz 开关频率时提供高达 94% 的效率。其 3.4V~65V 输入电压范围非常适合双电池运输、48V 汽车和工业应用。内部高效率开关可向低至 0.97V 的电压提供高达 8A 的连续输出电流。
  6. 数字增强型电源模拟(DEPA)控制器 MCP19124/5

    MCP19124/5支持各种化学电池的可配置充电算法,并拥有电池平衡和超级电容器充电功能。借助新器件,用户可以开发和实现自己独一无二的充电方法,且任意的电压、电流、温度或充电时间都可用作触发因素,转换至充电制度的新阶段。 主要特性:将独立的电压控制回路和电流控制回路独特的结合在了一起;可通过两个控制回路之间的切换实现目标电压和目标电流相互之间的动态切换;备有全套可配置、可调整的性能参数;集成了线性稳压器、MOSFET驱动器、8位PIC®亿万先生内核、模数转换器、精密振荡器和模拟控制回路。
  7. 高速多通道 PLC 输入数字隔离器 Si838x

    Si838x PLC 隔离器系列产品具有优异的特性组合:高速通道(高达2Mbps)、高通道集成度(每个设备最高可达 8 个通道)、双极输入灵活性、高抗干扰性和 2.5k VRMS 安全隔离等级。Si838x 系列产品为包括工业 I/O 模块、计算机数控(CNC)机器和伺服电机控制在内的 PLC 应用提供了特别构建的解决方案。
    通过在系统设计中采用"菊花链(daisy chaining)"连接 16 个 Si838x 隔离器,开发人员可以利用系统嵌入式处理器上的单个串行外设接口(SPI)创建支持多达128个通道的 PLC 设计。
  8. 电机控制 STSPIN32F0

    STSPIN32F0 模块在一个7mm x 7mm QFN 微型封装内整合微控制器和模拟芯片,提供基于微控制器的电机驱动器的灵活性和性能与单颗芯片的便利性、简易性和空间利用率。对于已经拥有自主开发的电机控制 IP 或打算使用现成的电机控制算法的开发人员,该解决方案同样具有吸引力。
    与其他品牌的基于微控制器的电机驱动解决方案相比,STSPIN32F0 使开发设计得到大幅简化,功能丰富的 STM32 生态系统,包括软件工具、固件库和中间件,尤其是受欢迎的电机控制算法。
  9. 降压-升压型电池充电控制器 BQ25703A

    bq25703A 和 bq25700A 支持 I2C 和 SMBus 接口,采用全新的高级电池算法,可通过最大功率点跟踪技术使电池充电智能化,实现全功率输出。称为输入电流优化(ICO)的独特算法可自动检测输入功率的最大容量以优化电流,同时保持系统和充电电流的一致性,以确保利用最大输入功率。
    主要特性:该器件的 USB 电力输送兼容性具有 3.5~24V 的宽输入电压范围;新型充电控制器支持 5~20V 的输入就绪器件,能够通过可编程电流调节为 USB OTG 提供可调输出。
  10. 超宽电压输入SVG 行业专用机壳型电源 PV45-29D

    该系列电源具有 150~1500VDC 超宽电压输入范围,其输入瞬时过压能力高达 1600VDC,可大大降低 SVG 系统由于输入浪涌电压导致产品损坏的几率;产品隔离耐压高达 4000VAC,浪涌/脉冲群满足电力4级标准,保障系统安全运行。双路 15V 稳压输出,输出之间隔离电压高压 4000VAC,一个电源可用于驱动不同电位的两组 IGBT。
    与此同时,该电源可在 -40~+85℃ 环境中正常工作,满足海拔 5000m 工作要求,并自带输入欠压保护等多种保护功能,可靠性远大于自搭方案,可有效保护系统安全。

技术突破奖

  1. 100V 桥式功率级模块 FDMF8811

    行业首款 100V 桥式功率级模块 FDMF8811 ,用于半桥和全桥隔离型 DC/DC 转换器。该器件额定电流 25A,在一个 PQFN-36 的封装中集成了一个 120V 驱动器 IC、一个自举二极管和两个高能效的功率 MOSFET。
    与分立方案相比,FDMF8811 减少 DC/DC 转换器设计所需的板面积约 1/3,使工程师能够设计更小的系统。FDMF8811 极其适用于云应用如无线基站、电源模块或任何板载、隔离型 DC-DC 转换器和工业应用如电机驱动器、风扇和暖通空调(HVAC)。
  2. 升降压稳压器 Cool-Power® ZVS

    这些新款 Cool-Power 稳压器整合 Vicor 高频率零电压开关 (ZVS) 专利技术,具有业界一流的转换效率、功率密度及性能,能够在超过 97% 的效率下提供高达 200w 的电源。 这两种 PI3741-0x 稳压器都在 21~60VDC 的大范围输入电压下工作,都在高密度、高热效 10mmx14mmx2.5mm 的系统级封装 (SiP) 中高度集成了 ZVS 控制器、电源开关及支持电路。
  3. 大功率 IEGT ST3000GXH24A

    新的大功率 IEGT 沿用东芝成熟的圆饼型封装结构(台面125mm),实现了在 4500V 额定电压的 IGBT 器件里 6000A 关断电流的性能。首先,由于沿用成熟的封装和芯片技术,该器件拥有值得信赖的可靠性指标。其次,由于器件内部没有绑定线(Bonding wire),可以提供短路的失效模式,方便客户将器件直接串联使用。再次,由于器件采用压接型封装,可以双面散热从而提供更好的热阻性能。最后,器件采用陶瓷和厚铜板结构,防爆能力相对于塑封器件大幅度提高。

最佳应用奖

  1. 第五代氮化镓场效应晶体管 EPC204x(eGaN®FET)

    EPC公司基于第五代氮化镓 eGaN® 技术的产品系列,无论在性能及成本上都实现质的飞跃 —— 产品具备更高的性能、更小型化及更低的成本优势。这是由于EPC的专有氮化镓(GaN)技术进一步降低了晶体管的导通电阻,这代表在在更高频、相同的导通电阻下(RDSon),可以减少输出电容(COSS),使得器件可以更小型化、减少开关损耗,实现从所未有的效率!第五代氮化镓产品包括 EPC2045(7mΩ、100V)、EPC2047(10mΩ、200V)及EPC2046(25mΩ、200V) eGaN®FET。EPC2045 应用于开放式伺服器架构以实现 48V 转至负载的单级电源转换、负载点(POL)转换器、USB-C 及激光雷达(LiDAR)应用。而 EPC2046 的应用包括无线充电。戴尔(Dell)刚刚推出了内部采用氮化镓(eGaN)技术的 Latitude7285 笔记本,具备无线充电功能。EPC2047 的应用包括用于 PV 逆变器及其它高压 DC/DC及DC/AC 转换器。
  2. nanoPower boost (升压调节器) MAX17222

    MAX17222 是一款输入电压范围0.4~5.5V,输出电压范围 1.8~5V,输入限流为 500mA 的升压调节器,同时提供 95% 的峰值效率,使发热降到最低。
    在 True Shutdown™ 模式下其电流消耗只有 0.5nA,几乎不造成任何电池消耗,从而提供最长的电池寿命并省去了外部电源开关。此外,MAX17222 还带有内部补偿,只需单个配置电阻和支持满功率输出的小尺寸输出滤波器。为便于使用,这款 boost 采用微小的高密度 6 焊球 WLP 封装(0.88mm x 1.4mm)和 6 引脚标准 uDFN 封装(2mm x 2mm)。

绿色节能奖

  1. PMIC (电源管理集成电路) MAX20310

    MAX20310 支持原电池供电可穿戴及健身产品设计,方案尺寸大幅减小 50%,有效延长电池寿命。可穿戴产品的 PMIC 需要支持低至 0.7V 的输入电压,适用于新型高能量密度电池架构。
    MAX20310 采用创新的单电感多输出(SIMO)架构,利用单个电感集成四路电源输出,每路电源实现了超低静态电流。与传统的分立式方案相比,该高度集成方案将尺寸减小了一半,静态电流降低 40% 以上,延长电池寿命。
  2. 汽车级N沟道MOSFET SQJQ480E

    SQJQ480E 的 PowerPAK 8x8L 封装比其通常取代的 D2PAK MOSFET 小58%。然而,SQJQ480E 可以同样高效地处理相同的功率转换、开关和电机控制任务,实测器件导通电阻(3mΩ)。 SQJQ480E 以Vishay SiliconixTrenchFET 硅技术为基础,其每平方英寸使用数亿个晶体管单元,能够让器件以极高效率转换能量。SQJQ480E 具有小巧的尺寸以及在 10V 时低至 3.0mΩ 的低最大导通电阻,为设计人员提供了一种易于扩展的解决方案,可以让需要并联器件的应用满足高功率需求。

优化开发奖

  1. DC/DC 降压电源 TPSM84A21 & TPSM84A22

    SWIFT TPSM84A21 和 TPSM84A22 DC/DC 模块易于使用,并将功率MOSFET、隔离电感、输入和输出电容以及无源器件集成于薄型封装中。
    高度集成的 TPSM84A21 和 TPSM84A22 只需一个电阻即可设置电压。对于电源精确调节的现场可编程门阵列电源轨等应用,典型的 10A 模块一般要求多达 16 个的外部电容。相比而言,由于 TPSM84A21 具备极高的 4MHz 开关频率,并集成了 185 微法拉的输出电容,其可提供超低的输出波纹,无须外部电容便可实现精准的稳压能力。

自主开发奖

  1. 超宽电压输入 SVG 行业专用机壳型电源 PV45-29D

    超宽电压输入 SVG 行业专用机壳型电源 PV45-29D
    该系列电源具有150-1500VDC 超宽电压输入范围,其输入瞬时过压能力高达 1600VDC,可大大降低SVG系统由于输入浪涌电压导致产品损坏的几率,产品隔离耐压高达 4000VAC, 浪涌/脉冲群满足电力 4 级标准,保障系统安全运行。双路 15V 稳压输出,输出之间隔离电压高压 4000VAC,一个电源可用于驱动不同电位的两组 IGBT,节省系统成本。 与此同时,该电源可在 -40~+85℃ 环境中正常工作,满足海拔 5000m 工作要求,并自带输入欠压保护、防反接保护,输出短路、过流、过压保护等多种保护功能,可靠性远大于自搭方案,可有效保护系统安全。
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